2μmの微細配線でデータ処理能力を10倍向上させるLTCC基板

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日立製作所と日立金属は2015年12月11日、配線幅、間隔が2μmの微細な配線層を形成した低温同時焼成セラミック(LTCC)パッケージ基板を開発したと発表した。

このLTCCパッケージ基板上にLSIとメモリを搭載しその間を1000本以上の配線で接続することにより、従来のパッケージ基板と比較し、10倍のデータ処理能力を実現できるという。

現在開発が進められている、有機パッケージ基板上にシリコンインターポーザを搭載する方法は、シリコンインターポーザに微細な加工するというコストのかかる工程が必要となる。

しかし、LTCCパッケージ基板ではその加工工程を省略し、基盤上に直接微細な配線を形成する。これにより、コストを抑えることができるというわけだ。

またLTCCの熱膨張計数は、有機素材と比べてLSIやメモリに近い値を持つ。このため、はんだ付けの際の熱膨張による基板の変形が少なく、信頼性を向上させることができるという。

同製品は。IoTの普及によって各種機器から発生する多数のデータのリアルタイム処理などに対応するための、データ処理能力向上に貢献するとしている。

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