東芝メモリ、4ビット/セル技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発

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東芝メモリは2017年6月28日、世界で初めて(同社調べ)4ビット/セル(QLC)技術を用いた3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を試作し、基本動作および基本性能を確認したと発表した。

QLCは従来の3ビット/セル(TLC)と比べ、蓄える電子の数を2倍の精度で制御することにより、1つのメモリーセルのビット数が1ビット増えて4ビットになり、大容量のメモリー製品が実現できる。同社では、先進的な制御回路技術を64層の3次元フラッシュメモリープロセスに組み合わせることにより、精度の高い制御を可能にしたという。

試作品は64層積層プロセスを用いて768ギガビット(96ギガバイト)の容量を実現。6月上旬から開発用にSSDメーカーやコントローラーメーカーに提供している。また、768ギガビットのチップをひとつのパッケージ内に16段積層することで、1.5テラバイトの大容量パッケージ製品を2017年8月からサンプル出荷する予定だ。同パッケージ製品は8月7日から10日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2017」で参考展示される。

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