エンハンスメント型電界効果トランジスター（MOSFET）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：エンハンスメント型電界効果トランジスター（MOSFET）

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  • 2017-6-14
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Applied Physics Letters, エンハンスメント型電界効果トランジスター（MOSFET）, ダイヤモンド・トランジスター, 物質・材料研究機構（NIMS）

  NIMS、ダイヤモンドがベースのトランジスタ「MOSFET」の開発に成功

  国立研究開発法人の物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームが、ダイヤモンドベースのトランジスタを製造する、新しいプロセスを開発した。現在のシリコンベースのトランジスタの限界を超え、高温や放射線条件下でも作動するエネルギ…

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