ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量

• 
  • 2018-8-22
  • ニュース, 製品ニュース, 電気・電子系
  • DTMOS Ⅳ－H, DTMOS Ⅵ シリーズ, TK040N65Z, スーパージャンクション パワーMOSFET, ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量, 東芝デバイス＆ストレージ

  東芝、650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFETを製品化――スイッチング電源を高効率化

  東芝デバイス＆ストレージは2018年8月20日、産業機器用電源向けに650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOS Ⅵ（ディーティーモス・シックス） シリーズ」を製品化し、シリーズ第1弾となる新…

  詳細を見る

  • Tweet
  -
  •