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タグ:ラマン散乱
2018-5-24
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技術ニュース
GaN半導体
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ラマン散乱
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名古屋大学
,
産業技術総合研究所
,
窒化ガリウム半導体
非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出――産総研と名古屋大が技術開発
産業技術総合研究所は2018年5月22日、名古屋大学と共同で、ラマンマッピング像から窒化ガリウム(GaN)半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発したと発表した。欠陥の分布や方向を非破壊で特定することができ、GaN半導体単結…
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