単結晶ダイヤモンド基板接合技術に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：単結晶ダイヤモンド基板接合技術

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  • 2018-8-17
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • AlGaNスペーサ層, GaN-HEMT, 単結晶ダイヤモンド基板接合技術, 富士通, 富士通研究所, 窒化ガリウムトランジスタ, 窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ

  富士通、窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功――気象レーダーの観測範囲を約2.3倍拡大可能

  富士通は2018年8月10日、従来比3倍となる窒化ガリウムトランジスタの高出力化に成功したと発表した。同技術を気象レーダーなどに適用することで、観測範囲を約2.3倍に拡大できるという。 窒化ガリウム（GaN）高電子…

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