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タグ：窒化ガリウム圧電薄膜

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  • 2017-9-1
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • GaN, RFスパッタ法, 産総研, 窒化ガリウム圧電薄膜

  産総研、良質な窒化ガリウム圧電薄膜をRFスパッタ法で作製

  産業技術総合研究所（産総研）は2017年8月31日、村田製作所と共同で、単結晶と同等の圧電性能を示す窒化ガリウム（GaN）薄膜を作製する方法を発見したと発表した。今回の作製には低コストで成膜温度の低い「RFスパッタ法」を…

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