イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウムトランジスタ開発に初めて成功――低コストパワーデバイス量産へ NICTと東京農工大
情報通信研究機構(NICT)と東京農工大学は2018年12月12日、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム(Ga2O3) トランジスタの開発に成功したと発表した。 電力変換に用いるパワースイッチングデバイスは、 … 続きを読む イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウムトランジスタ開発に初めて成功――低コストパワーデバイス量産へ NICTと東京農工大
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