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タグ：カイラル反強磁性体

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  • 2022-7-22
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • MRAM, Xianzhe Chen, カイラル反強磁性体, カイラル反強磁性体Mn3Sn, 不揮発性メモリ, 反強磁性体, 強磁性体, 拡張磁気八極子偏極, 東京大学, 東京大学先端科学技術研究センター, 東京大学大学院理学系研究科, 東京大学物性研究所, 理化学研究所, 研究, 磁気八極子偏極, 磁気抵抗メモリ

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