窒化インジウム（InN）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：窒化インジウム（InN）

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  • 2020-7-30
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  • CVD法, インジウム・トリアゼニド, トリアゼニド分子, バンドギャップ, プリカーサ分子, リンショーピング大学, 原子層堆積ALD法, 学術, 次世代型高周波デバイス, 無線データ通信, 窒化インジウム（InN）, 電子移動度

  高品質で高純度な窒化インジウム薄膜作製に成功――次世代型高周波デバイスとして期待

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