タグ:原子層堆積法
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原子層堆積法を用いたナノシート酸化物半導体トランジスタを開発 東大生産技術研究所
東京大学生産技術研究所は2023年6月9日、奈良先端科学技術大学院大学との研究グループが、原子層堆積法を用いて酸化物半導体のナノ薄膜を成膜する技術を用いて、低温で形成可能なナノシート酸化物半導体をチャネル材料とする高性能…詳細を見る -
名大、GaNパワーデバイスの要素技術を開発――GaN基板上のGaNデバイスの基礎技術を構築
名古屋大学は2018年5月17日、縦型窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの溝(トレンチ)加工技術、およびGaNパワーデバイス用の高性能ゲート絶縁膜を開発したと発表した。 GaNパワーデバイスは、従来のシリコンに比…詳細を見る