GaNパワーデバイスに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：GaNパワーデバイス

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  • 2024-2-13
  • REPORT, 制御・IT系, 化学・素材系, 機械系, 電気・電子系
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  • 2018-5-21
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • GaNパワーデバイス, ドライエッチング法, 原子層堆積法, 名古屋大学, 窒化ガリウム, 縦型GaNパワーデバイス

  名大、GaNパワーデバイスの要素技術を開発――GaN基板上のGaNデバイスの基礎技術を構築

  名古屋大学は2018年5月17日、縦型窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの溝（トレンチ）加工技術、およびGaNパワーデバイス用の高性能ゲート絶縁膜を開発したと発表した。 GaNパワーデバイスは、従来のシリコンに比…

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