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タグ：III-V族半導体

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  • 2023-7-19
  • 技術ニュース, 機械系, 海外ニュース
  • III-V族半導体, IoT, Nature Communications, シリコントランジスター, トンネル電界効果トランジスター, ハイブリッド回路, ルンド大学, 位相シフト, 周波数伝送, 垂直縦型ナノワイヤ構造, 多機能型トランジスター, 学術, 強誘電体ゲート酸化物, 強誘電体トンネル電界効果トランジスター（ferro-TFET）, 強誘電体材料, 次世代無線通信, 量子コンピューター

  次世代型半導体に向けた最先端のトランジスタを開発

  スウェーデンのルンド大学の研究チームが、動作機能の設定変更が可能で、入力信号の多様な変調を実行できる新しい多機能型トランジスタを開発した。強誘電体ゲート酸化物を用いた、垂直縦型ナノワイヤ構造のトンネル電界効果トランジスタ…

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