サムスン高等技術院（SAIT）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：サムスン高等技術院（SAIT）

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  • 2025-2-5
  • 半導体, 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • 3次元（3D）半導体チップ, AI, AIハードウェア, サムスン高等技術院（SAIT）, シリコン貫通電極（TSV）, マサチューセッツ工科大学（MIT）, モノリシック3D集積化技術, 単結晶半導体, 学術, 論理回路, 遷移金属ジカルコゲナイド（TMD）, 高積層化技術

  3D半導体チップの高積層化技術を開発　米MIT

  米マサチューセッツ工科大学（MIT）とサムスン高等技術院（SAIT）らの共同研究チームが、3次元（3D）半導体チップの高積層化技術を開発した。同技術は、チップ上のトランジスタ数を飛躍的に増加させ、より効率的なAIハードウ…

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