カテゴリー:半導体
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3D半導体チップの高積層化技術を開発 米MIT
米マサチューセッツ工科大学(MIT)とサムスン高等技術院(SAIT)らの共同研究チームが、3次元(3D)半導体チップの高積層化技術を開発した。同技術は、チップ上のトランジスタ数を飛躍的に増加させ、より効率的なAIハードウ…詳細を見る -
スズを含むSn-Pb系ペロブスカイト半導体の界面構造制御法を開発 京都大学ら
京都大学は2024年12月24日、同大学化学研究所が英オックスフォード大学、分子科学研究所、理化学研究所と共同で、スズを含むSn-Pb系ペロブスカイト半導体の界面構造制御法を開発したと発表した。また、ボトムセルとして用い…詳細を見る -
微小部品向けの高解像度サーモグラフィーを販売――半導体市場等での部品の進化に貢献 日本アビオニクス
日本アビオニクスは2024年12月23日、サーモグラフィー「超高性能ハイエンドモデル Thermo HAWK H9300」を販売開始すると発表した。電子デバイスや半導体などでの研究開発、故障解析用途に適する。 同製…詳細を見る -
耐電圧1.7kVパワー半導体モジュールの新製品「HVIGBTモジュールS1」シリーズを発売 三菱電機
三菱電機は2024年12月23日、従来より信頼性などを向上させた大型産業機器向け耐電圧1.7kVパワー半導体モジュールの新製品「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を同月26日に発売すると発表した。 今回発売…詳細を見る -
高速/高効率で透明なウルトラワイドバンドギャップ型次世代半導体の開発
米ミネソタ大学の研究チームが、次世代のパワーエレクトロニクスや光電子デバイスに適用できる、高速/高効率で透明な半導体材料を開発した。ウルトラワイドバンドギャップ型電子構造を持つSrSnO3の薄膜ヘテロ積層により、高い導電…詳細を見る