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タグ：ガリウムナイトライド

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  • 2020-1-24
  • 制御・IT系, 技術ニュース, 海外ニュース
  • Applied Physics Letters, HEMT（高電子移動度トランジスタ）, SweGaN, transmorphic epitaxial growth（変形エピタキシャル成長）, ウエハー, エピタキシー, ガリウムナイトライド, トランジスタ, リンショーピング大学, 学術, 炭化シリコン（SiC）, 発光ダイオード（LED）, 窒化アルミニウム（AlN）, 窒化ガリウム（GaN）, 転位（結晶欠陥）, 電気自動車

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