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耐高電圧で堅牢なトランジスタを製造する新手法を発表――界面変形により転位密度を低減
スウェーデンのリンショーピング大学とウエハーメーカーであるSweGaNの共同研究チームは、2020年1月7日、厚さ数ナノメートルの半導体の層を組み合わせるという新しいトランジスタ製造手法を発見し、高出力電子機器向けの新し…
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