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タグ：トリハライド気相成長法

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  • 2019-11-18
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • GaN結晶, JST, THVPE法, トリハライド気相成長法, 大陽日酸, 東京農工大学, 研究, 窒素ガリウム

  窒化ガリウムの低コスト結晶製造装置を開発――高性能GaNデバイス開発への突破口に　JST

  科学技術振興機構（JST）は2019年11月15日、東京農工大学と大陽日酸と共同で進める産学共同実用化開発事業の開発課題「トリハライド気相成長法（THVPE法）による高品質バルクGaN成長用装置」の開発結果を成功と認定し…

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