タグ：GaN結晶
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世界で初めてHf系の高耐熱高誘電材料を適用したGaN-HEMを開発 住友電気工業
住友電気工業は2022年10月18日、ポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム（Hf）系の高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタ（以下、GaN-HEM）を開発したと発表した。高…詳細を見る-
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窒化ガリウムの低コスト結晶製造装置を開発――高性能GaNデバイス開発への突破口に JST
科学技術振興機構（JST）は2019年11月15日、東京農工大学と大陽日酸と共同で進める産学共同実用化開発事業の開発課題「トリハライド気相成長法（THVPE法）による高品質バルクGaN成長用装置」の開発結果を成功と認定し…詳細を見る-
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光を閉じ込めて色を変換するフォトニック結晶の設計手法を考案 スタンフォード大
スタンフォード大学の研究チームが、入射するレーザー光に対して、波長が半分の第二高調波を高効率で生成し、両方の波長の光を閉じ込めて増強する、ナノサイズのフォトニック結晶共振器を設計する手法を提案した。波長を高効率で変換し、…詳細を見る-
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KEKとJFCC、GaN結晶の欠陥を短時間かつ非破壊で検出する方法を確立――青色LEDなどの高品質化を加速
高エネルギー加速器研究機構（KEK）は2018年7月9日、ファインセラミックスセンター（JFCC）と共同で、窒化ガリウム（GaN）結晶中のさまざまな欠陥をごく短い時間で非破壊で検出する方法を確立したと発表した。 G…詳細を見る-
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