- 2024-12-24
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- CSTBT構造, HVIGBTモジュール, HVIGBTモジュールS1シリーズ, RFCダイオード, インバーター, 三菱電機, 耐電圧1.7kVパワー半導体モジュール
三菱電機は2024年12月23日、従来より信頼性などを向上させた大型産業機器向け耐電圧1.7kVパワー半導体モジュールの新製品「HVIGBTモジュールS1」シリーズ2製品を同月26日に発売すると発表した。
今回発売するのは、同社が1997年に発売した鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けの耐電圧1.7kVのパワー半導体「HVIGBTモジュール」の新製品となる。
同製品は独自のRFCダイオードを搭載している。これによりRRSOA耐量（逆回復時安全動作領域における耐量）が従来の2.2倍となり、信頼性が向上した。また、CSTBT構造のIGBT素子を搭載することで電力損失と熱抵抗を低減し、インバーターを高効率化できる。加えて独自の絶縁構造を採用したことで、絶縁耐電圧を従来の1.5倍（6.0kVrms）に向上させた。絶縁に関する設計の自由度が増し、さまざまなインバーターに対応する。
発売するのは結線がデュアルタイプまたはチョッパータイプの2製品で、価格は個別見積もりだ。
