パナソニック セミコンダクターソリューションズ（以下PSCS）は2017年2月1日、台湾UMCとReRAMの次世代（40nm）量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。
ReRAM（Resistive Random Access Memory、抵抗変化型メモリ）は、金属酸化物薄膜にパルス電圧を加えることで生じる抵抗変化を利用して記憶する不揮発性メモリ。構造がシンプルで、処理が高速、消費電力が小さいといった特長を持つ。
PSCSでは2013年から180nmプロセスでのReRAM量産を行い、現在は同製品を搭載した8bitマイコン「MN101LRシリーズ」をポータブルヘルスケア機器などの低消費電力用途に供給している。また、40nmプロセスによるメモリアレイの評価も行い、高信頼性を実証している。
今回の協業により、PSCSが開発した微細ReRAMプロセス技術とUMCのCMOSプロセス技術を融合。現在ICカードやウェアラブル端末、IoT機器等で広く利用されているフラッシュメモリに代わる混載用メモリとして、様々なシステムデバイスへの応用が可能なReRAMプロセスプラットフォームが実現できるとしている。
PSCSでは40nmプロセスによる製品サンプルを2018年に出荷するとともに、開発したReRAMプロセス品を両社で広く世界の半導体サプライヤーに提供していくという。
