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アルミでコンピューターメモリーを省電力化する――アルミ酸化膜を用いた新しい不揮発メモリーの動作メカニズムを解明 日本原子力研究開発機構
日本原子力研究開発機構は2019年11月14日、物質・材料研究機構、高エネルギー加速器研究機構と共同で、次世代不揮発メモリーの材料として期待されるアモルファスアルミ酸化膜において、半導体メモリーの全く新しい動作メカニズム…詳細を見る -
パナソニックとUMC、40nmのReRAM量産プロセス共同開発で合意
パナソニック セミコンダクターソリューションズ(以下PSCS)は2017年2月1日、台湾UMCとReRAMの次世代(40nm)量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。 ReRAM(Resistive Rando…詳細を見る