- 2017-12-1
- 化学・素材系, 技術ニュース
- MRAM, NIMS, 固体磁気メモリー, 大阪大学, 東北大学, 物質・材料研究機構, 産業技術総合研究所, 電圧スピン制御技術, 電圧トルクMRAM
今回開発した鉄イリジウム超薄膜磁石の特性（赤星印）と素子構造の模式図
産業技術総合研究所（産総研）、東北大学、物質・材料研究機構（NIMS）、大阪大学は2017年12月1日、電圧制御型の磁気メモリー（電圧トルクMRAM）用の新材料を開発したと発表した。
固体磁気メモリー（MRAM）は、書き込みのエネルギーを与えない限り磁化の向きが保持されるため、情報の維持に電力を必要としない不揮発性メモリーだ。しかし、開発が進んでいるMRAMは、電流で情報を書き込むことによる発熱で、既存の半導体メモリーよりも駆動電力が数桁大きい。一方、電圧トルクMRAMは、電圧で情報を書き込むことから駆動電力は小さいが、電圧スピン制御効率が課題だった。
研究グループは今回、磁石材料である鉄（Fe）に低濃度のイリジウム（Ir）を添加したFeIr超薄膜磁石では、垂直磁気異方性を保ちつつ、電圧スピン制御効率が従来よりも約3倍高効率化することを発見。電圧スピン制御効率と垂直磁気異方性の両方について、実用化を満たす特性を達成した。
今後、今回開発した材料の量産技術を開発すると共に、材料特性の向上を目指すとしている。また、電圧トルクMRAMは、書き込むエネルギーを大幅に低減できるため、待機電力が不要で、駆動電力が小さい新たな不揮発性メモリーの実現につながると期待される。
