タグ：MRAM
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STT-MRAMの高速読み出し技術と、書き換え動作の高速化技術を開発 ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは2024年2月21日、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）の読み出しと書き換え動作を高速化する技術を発表した。22nmロジック混載MRAMプロセスで、10.8M…詳細を見る-
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電流で反強磁性体の垂直2値状態を制御する技術を開発 東大ら
東京大学大学院理学系研究科の肥後友也特任准教授らは2022年7月21日、理化学研究所、東京大学物性研究所、東京大学先端科学技術研究センター、東京大学物性研究所、Xianzhe Chenと共同で、反強磁性体において、従来の…詳細を見る-
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白金薄膜中への硫黄イオン注入でスピンホール効果を大幅に向上――MRAMや人工知能デバイスへの応用に期待 九州工業大学ら
九州工業大学、山口大学、Nanyang Technological University（シンガポール）、Inter University Accelerator Center（インド）の研究グループは2021年1月27…詳細を見る-
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巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証――従来の3桁高い1.1％の抵抗変化を達成 東京工業大学
東京工業大学は2019年12月24日、トポロジカル絶縁体／強磁性半導体接合を用いて、巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗（USMR）効果を実証したと発表した。スピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体と強磁性半導体を組み合わ…詳細を見る-
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スピン流が機械的な力を生み出すことを実証――ミクロな量子力学からマクロな機械運動を生み出す新手法 原子力機構や東北大ら
日本原子力研究開発機構は2019年6月13日、東北大学や理化学研究所（理研）、東京大学らとの研究グループが、マイクロメートルスケールの磁性絶縁片持ち梁（カンチレバー）を作製し、そこに磁気の流れである「スピン流」を注入する…詳細を見る-
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磁気の強さを約70分の1に、非鉄材料のTMR素子で超高集積MRAMの実現へ
東北大学材料科学高等研究所（AIMR）は2018年12月7日、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）のトンネル磁気抵抗（TMR）素子を構成するナノ薄膜磁石の磁気の強さを約70分の1に抑えることに成功したと発表した。磁…詳細を見る-
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熱による高速、高効率な磁極制御に成功――MRAMやAIハードウェアの低消費電力化に期待 阪大など
大阪大学、産業技術総合研究所（産総研）、科学技術振興機構（JST）は2018年12月3日、ナノサイズの磁石の磁極の向きを熱によって高速／高効率に制御することに成功したと発表した。 情報通信機器の低消費電力化のため、…詳細を見る-
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産総研など、電圧制御型磁気メモリーの新材料を開発
産業技術総合研究所（産総研）、東北大学、物質・材料研究機構（NIMS）、大阪大学は2017年12月1日、電圧制御型の磁気メモリー（電圧トルクMRAM）用の新材料を開発したと発表した。 固体磁気メモリー（MRAM）は…詳細を見る-
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産総研、不揮発性磁気メモリーMRAMのための3次元積層プロセスを開発
産業技術総合研究所（産総研）の研究グループは、内閣府が主導する革新的研究開発推進プログラムの研究の一環として、次世代の不揮発性メモリーである磁気ランダムアクセスメモリー（MRAM）の3次元積層プロセス技術を開発した。産総…詳細を見る-
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産総研、不揮発性磁気メモリのためのMRAM高性能参照層を開発 スペーサー層にイリジウムを採用
産業技術総合研究所（産総研）は2017年2月27日、次世代の不揮発性メモリである磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）の参照層に、イリジウムを用いたスペーサー層を用いて、大容量MRAMに求められる性能を達成したと発表した…詳細を見る-
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