サムスン、GAAトランジスタアーキテクチャを適用した3nmチップの生産を世界で初めて開始

韓国のSamsung Electronics（以下、Samsung）は、2022年6月30日、「Gate-All-Around（GAA）」トランジスタアーキテクチャを世界で初めて適用した3nmチップ生産を開始したことを発表した。

Samsungの独自技術で使用するナノシートはチャネル幅が広いため、チャネル幅が狭いナノワイヤーを用いるGAA技術よりも高性能で高いエネルギー効率を実現している。同社は、3nm GAA技術の活用により、ナノシートのチャネル幅を調整して、顧客のさまざまなニーズに合わせて電力使用量と性能を最適化することができるとしている。

5nmプロセスと比較して、第1世代3nmプロセスでは消費電力を最大45％削減、性能は23％向上、表面積は16％縮小でき、第2世代3nmプロセスでは消費電力を最大50％削減、性能を30％向上、表面積を35％縮小することが可能だという。

同社のファウンドリー事業部社長兼本部長であるSiyoung Choi博士は、発表に際し、同社は次世代技術を製造業に応用する点でリーダーシップを発揮して急成長してきたと述べ、「世界初の3nmプロセスであるMBCFET（Multi-Bridge Channel FET）で、このリーダーシップを継続することを目指していく」と決意を述べた。さらに、「技術開発競争において積極的な革新を続け、技術の成熟を促進するためのプロセスを構築していきたい」と今後の意気込みを語った。

Samsungは、このナノシート・トランジスタを、まずは高性能で低消費電力のコンピューティング用半導体チップに使用し、モバイルプロセッサーへと拡大していく予定だという。

サムスン、GAAトランジスタアーキテクチャを適用した3nmチップの生産を世界で初めて開始