東芝、3次元フラッシュメモリー新製造棟建設に備え用地取得

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東芝は2016年2月2日、将来の3次元フラッシュメモリの製造棟建設に備え、同社四日市工場の隣接地を取得すると発表した。取得面積は約15万㎡、取得費用は約30億円を予定している。

同社では今後の需要拡大を見込んで、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の生産を進めるため、3次元専用工程の製造棟「新第2製造棟」を建設中だ。

しかし、将来のさらなる需要拡大に対応するためには、さらに3次元専用工程の製造棟が必要になると判断した。その際、速やかに建屋が建設できるように、今回の隣接用地買収を決定したという。

用地取得後、2016年度末をめどに造成を完了する予定だ。新しい製造棟の建設時期、生産能力、生産設備への投資など具体的な計画については、市場動向を踏まえ、2016年度中に決定するとしている。

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