タグ：BiCS FLASH
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東芝メモリ、世界初となるTSV技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発
東芝メモリは2017年7月11日、TSV技術を用いた3ビット／セルの3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を開発し、同年6月から開発用試作品の提供を開始したと発表した。同社によると、TSV技術を用いた3次元フラ…詳細を見る-
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東芝メモリ、4ビット／セル技術を用いた3次元フラッシュメモリーを開発
東芝メモリは2017年6月28日、世界で初めて（同社調べ）4ビット／セル（QLC）技術を用いた3次元フラッシュメモリー「BiCS FLASH」を試作し、基本動作および基本性能を確認したと発表した。 QLCは従来の3…詳細を見る-
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東芝、64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリーをサンプル出荷開始
東芝は2016年7月27日、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の64層積層プロセスを開発し、サンプル出荷を順次開始すると発表した。 BiCS FLASHは、従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並…詳細を見る-
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東芝、3次元フラッシュメモリー新製造棟建設に備え用地取得
東芝は2016年2月2日、将来の3次元フラッシュメモリの製造棟建設に備え、同社四日市工場の隣接地を取得すると発表した。取得面積は約15万㎡、取得費用は約30億円を予定している。 同社では今後の需要拡大を見込んで、3…詳細を見る-
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