東芝、650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFETを製品化――スイッチング電源を高効率化

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TK040N65Z

東芝デバイス＆ストレージは2018年8月20日、産業機器用電源向けに650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOS Ⅵ（ディーティーモス・シックス） シリーズ」を製品化し、シリーズ第1弾となる新製品「TK040N65Z」の量産及び出荷を開始したと発表した。

DTMOS Ⅵは、従来の「DTMOS Ⅳ－H（ディーティーモス・フォー・エイチ）」と比べて、性能指数である「ドレイン･ソース間オン抵抗×ゲート･ドレイン間電荷量 （R_DS（ON）×Q_gd）」を低減。スイッチング電源を高効率化する。

TK040N65Zは、DTMOS Ⅳ－Hシリーズの「TK62N60X」と比較して、R_DS（ON）×Q_gdを約40％低減し、電源効率が約0.36％向上した。絶対最大定格はドレイン・ソース間電圧が650V、ドレイン電流（DC）が57A。ゲート・ソース間電圧が10Vの条件で、ドレイン・ソース間オン抵抗の最大値は0.040Ω。ゲート入力電荷量は105nC、ゲート･ドレイン間電荷量が27nC、入力容量は6250pFとなっている。

応用機器として、データセンター（サーバー電源など）、太陽光発電パワーコンディショナー、無停電電源装置などの産業機器用電源を想定している。

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プレスリリース