東芝、650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFETを製品化――スイッチング電源を高効率化

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TK040N65Z

東芝デバイス&ストレージは2018年8月20日、産業機器用電源向けに650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOS Ⅵ(ディーティーモス・シックス) シリーズ」を製品化し、シリーズ第1弾となる新製品「TK040N65Z」の量産及び出荷を開始したと発表した。

DTMOS Ⅵは、従来の「DTMOS Ⅳ-H(ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数である「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)」を低減。スイッチング電源を高効率化する。

TK040N65Zは、DTMOS Ⅳ-Hシリーズの「TK62N60X」と比較して、RDS(ON)×Qgdを約40%低減し、電源効率が約0.36%向上した。絶対最大定格はドレイン・ソース間電圧が650V、ドレイン電流(DC)が57A。ゲート・ソース間電圧が10Vの条件で、ドレイン・ソース間オン抵抗の最大値は0.040Ω。ゲート入力電荷量は105nC、ゲート・ドレイン間電荷量が27nC、入力容量は6250pFとなっている。

応用機器として、データセンター(サーバー電源など)、太陽光発電パワーコンディショナー、無停電電源装置などの産業機器用電源を想定している。

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