タグ：スーパージャンクション パワーMOSFET
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低オン抵抗で高電流増幅率のシリコンバイポーラトランジスタを開発 新日本無線
新日本無線は2020年8月28日、山梨大学と共同で、コレクタ領域をスーパージャンクション（SJ）構造とするシリコンバイポーラトランジスタ（SJ-BJT）の開発に成功したと発表した。 パワー半導体デバイスを用いた電流…詳細を見る-
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東芝、650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFETを製品化――スイッチング電源を高効率化
東芝デバイス＆ストレージは2018年8月20日、産業機器用電源向けに650V耐圧の新世代スーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOS Ⅵ（ディーティーモス・シックス） シリーズ」を製品化し、シリーズ第1弾となる新…詳細を見る-
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