- 2023-8-22
- ニュース, 化学・素材系, 技術ニュース
- 4インチ, AIN, Crystal IS, 旭化成子, 次世代パワーデバイス, 窒化アルミニウム単結晶基板
旭化成は2023年8月21日、同社子会社の米Crystal ISが、4インチ（直径100mm）の窒化アルミニウム単結晶基板（AIN基板）の製造に成功したと発表した。旭化成によると世界初となる。
Crystal ISのAIN基板は、欠陥密度が低く、紫外線透過性が高く、さらに不純物濃度が低いという特徴があるという。これを活かして、これまでは殺菌用途向けのUV-C（深紫外線）LEDでの活用を進めてきた。
しかし、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも電力損失が小さく、エネルギー効率にも優れるため、次世代パワーデバイスなどでの展開を期待されている。
AIN基板製造には、2000℃以上の昇華炉内部における精緻な温度コントロールが必要になる。Crystal ISはこれまで複数回の基板のスケールアップを実現させるなど、同分野でのノウハウを蓄積させてきた。同社はこれまで2インチ基板を製造してきたが、4インチ基板の量産が実現すれば、1枚あたり従来の4倍の面積のさまざまなデバイスを製造できるようになる。
今回製造に成功したAIN基板は、その面積の80％以上が使用可能だが、2023年度中に99％以上使用可能になるよう改善していく。今後は、次世代パワーデバイスなどへの展開を見据え、AlN基板の外部販売に向けた活動も強化する。
