タグ：次世代パワーデバイス
-
4インチ窒化アルミニウム単結晶基板の製造に成功――外部販売も強化 旭化成の子会社 米Crystal IS
旭化成は2023年8月21日、同社子会社の米Crystal ISが、4インチ（直径100mm）の窒化アルミニウム単結晶基板（AIN基板）の製造に成功したと発表した。旭化成によると世界初となる。 Crystal IS…詳細を見る-
-
-
低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料を開発―― SiCやGaNの動作温度にも対応可 パナソニックら
パナソニック ホールディングスは2022年6月21日、東北大学、大阪教育大学、秋田大学および芝浦工業大学と共同で、低温プロセスで接合可能な耐熱200℃のナノソルダー接合材料（新規はんだ）を開発したと発表した。2022年1…詳細を見る-
-
-
第3世代SiCパワーMOSFETを発表――ハイエンド車載用途に最適化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2021年12月21日、EV（電気自動車）や産業機器向けに第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。650V／750V／1200V耐圧の製品を提供する予定となっており、まずは650V耐圧品…詳細を見る-
-
-
次世代パワーデバイス向けに銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発 大陽日酸
大陽日酸は2020年1月28日、銅ナノ粒子を用いたシート状の接合材を開発したと発表した。SiCやGaNといった次世代パワーデバイスの接合材での用途を見込む。 同社は、粒子径100nm程度で表面が数nm程度の亜酸化層…詳細を見る-
-
-
低温焼結性を有する銅ナノ粒子を低環境負荷の条件下で合成するプロセスを開発――プリンテッドエレクトロニクスと次世代パワーデバイス接合は銅の時代へ
東北大学は2019年1月30日、三井金属鉱業との共同研究により、低温焼結性を有する銅ナノ粒子を極めて低環境負荷の条件下で合成するプロセスを新たに開発したと発表した。 プリンテッドエレクトロニクスと既存のIC製造技術…詳細を見る-
-
