トンネル磁気抵抗に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：トンネル磁気抵抗

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  • 2016-7-27
  • ニュース, 化学・素材系, 製品ニュース, 電気・電子系
  • MRAM, TMR, トンネル磁気抵抗, 不揮発性抵抗メモリ, 東京大学, 東北大学

  東北大や東大など、大容量MRAMなどに応用可能な記憶素子を開発

  東北大学や東京大学などは2016年7月26日、大記憶容量と高速性能および低消費電力を併せ持つことで次世代のメモリとして期待される不揮発性抵抗メモリ（MRAM）の大容量化などに貢献する、新たな記憶素子を開発したと発表した。…

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