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TDKと旭化成エレクトロニクス、高精度TMR 3軸磁気センサーを開発
TDKと旭化成エレクトロニクス(AKM)は2018年1月9日、高精度TMR 3軸磁気センサーを開発したと発表した。 TMR(磁気抵抗効果)は、量子力学のトンネル現象に由来し、これを応用した素子は、感度を示す磁気抵抗…詳細を見る -
東北大や東大など、大容量MRAMなどに応用可能な記憶素子を開発
東北大学や東京大学などは2016年7月26日、大記憶容量と高速性能および低消費電力を併せ持つことで次世代のメモリとして期待される不揮発性抵抗メモリ(MRAM)の大容量化などに貢献する、新たな記憶素子を開発したと発表した。…詳細を見る