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タグ：トランジスタ型メモリ素子

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  • 2020-8-27
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • NIMS, グラフェン, トランジスタ型メモリ素子, 二次元層状物質, 二流化レニウム, 多値メモリ素子, 物質・材料研究機構, 研究

  二次元層状物質を積層したトランジスタ型の光多値メモリー素子を開発――光と電子を繋いださまざまな素子に発展することに期待　NIMS

  物質・材料研究機構（NIMS）は2020年8月25日、光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発したと発表した。開発したメモリー素子は、二次元層状物質を積層したトランジスタ型のメモリー素子で、記録容…

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