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タグ：III-V族

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  • 2023-2-8
  • ニュース, 技術ニュース, 電気・電子系
  • GaAs（ガリウムヒ素）, III-V族, エピタキシャル成長, エピタキシー, シリコン, ナノワイヤ, 光デバイス, 北海道大学, 太陽電池, 愛媛大学, 東京大学, 研究

  シリコンウエハ全面に光機能性ナノワイヤを大容量集積――大出力太陽電池などへの応用に期待　北海道大学ら

  北海道大学は2023年2月7日、東京大学および愛媛大学との共同研究グループが、発光／受光機能に優れるガリウムヒ素系半導体ナノワイヤをシリコンウエハ全面に大容量で集積することに成功したと発表した。 周期表のIII属と…

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