同一光軸二波長フォトダイオードを開発――広感度波長400～1700nmを有するSiとInGaAsの受光素子を積層　京都セミコンダクター

• Tweet
• 

京都セミコンダクターは2020年5月26日、400~1700nmと広い感度波長を有するシリコン（Si）とインジウムガリウムヒ素（InGaAs）の受光素子を同一光軸上に並べた小型の表面実装型「KP-2 二波長フォトダイオード KPMC29」を開発したと発表した。

同製品は、短い波長に感度を有するSiの受光素子と、長い波長に感度を有するInGaAsの受光素子を同一光軸上に積層することで、波長域が広げられている。

光が最初に透過するSiの受光素子の基板側に凹状の窪みを設け、InGaAsの受光素子を格納したことで、パッケージの高さを極限まで低くすることが可能となった。同社従来品と比較して、体積比で1/8に小型化されている。

また、SiおよびInGaAsの受光素子による光電流信号をそれぞれ独立して取り出せるため、光電流比を測定することで高温の物体に直接触れずに温度を測定することが可能で、放射温度計などの用途でも利用できる。

同製品はパルスオキシメータ、ウェアラブル活動量計などでの用途が期待される。2020年8月31日にサンプル品の受注が開始され、2021年4月1日に量産品の受注が開始される計画となっている。

関連リンク

プレスリリース