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タグ：インジウムガリウムヒ素

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  • 2020-5-27
  • ニュース, 製品ニュース, 電気・電子系
  • InGaAs, SI, インジウムガリウムヒ素, シリコン, フォトダイオード, 二波長, 京都セミコンダクター, 受光素子, 広感度波長, 表面実装型

  同一光軸二波長フォトダイオードを開発――広感度波長400～1700nmを有するSiとInGaAsの受光素子を積層　京都セミコンダクター

  京都セミコンダクターは2020年5月26日、400~1700nmと広い感度波長を有するシリコン（Si）とインジウムガリウムヒ素（InGaAs）の受光素子を同一光軸上に並べた小型の表面実装型「KP-2 二波長フォトダイオー…

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