薄型PowerPAK10x12で、600 V EFシリーズのファースト・ボディ・ダイオードMOSFETを発表ビシェイ

ビシェイ・インターテクノロジーは2022年10月6日、第4世代600 V EFシリーズのファースト・ボディ・ダイオードMOSFETを、薄型PowerPAK 10×12パッケージのビシェイSiliconixブランド Nチャネル「SiHK045N60EF」として発表した。オン抵抗とゲート電荷の積（電力変換アプリケーションでの重要な性能指数のFOM）が業界最小となっている。

SiHK045N60EFは、前世代デバイスと比べ、オン抵抗を29％削減、ゲート電荷を60％低減。SiHK045N60EFと第4世代600 V EFファミリーは、電力システムアーキテクチャの最初の2ステージ（トーテムポール型のブリッジレス力率改善（PFC）と後続のDC/DCコンバーターブロック）で、効率性と電力密度を向上する。

SiHK045N60EFの設計は、エネルギー効率の高い最新のEシリーズSuper Junctionテクノロジーを採用。10Vで0.045Ωと低い標準オン抵抗は、PowerPAK 8×8パッケージのデバイスと比べ、27％低くなっている。また、3kW以上のアプリケーション向けに高い電力定格に対応。電力密度を2.3mmの薄型パッケージで向上する。

70nCの超低ゲート電荷を提供し、同じクラスの競合製品と比べ、3.15ΩnCのFOMは2.27％低くなっている。導通損失とスイッチング損失を低減し、効率性の向上と省エネに貢献。サーバー電源特有のチタン効率要件や、テレコム電源の用途で98％のピーク効率を提供する。

また、LLC共振コンバーターなどのゼロ電圧スイッチング（ZVS）トポロジー向けに、それぞれ171pfと1069pFの低い実効出力容量Co（er）とCo（tr）を提供。同クラスの競合MOSFETと比べ、Co（tr）は8.79％低く、ファースト・ボディ・ダイオードは8μCの低Qrrとなっている。

ジャンクションとケース間の熱抵抗は0.45℃/Wで、PowerPAK10x12パッケージは、表面実装パッケージの中で最高の熱性能を持つ。熱インピーダンスはPowerPAK8x8と比べ31％低減している。

RoHS準拠のハロゲンフリー品、同社のグリーン標準に適合、アバランシェモードで過渡過電圧に耐えるように設計。全数UIS検査により、限界値が保証されている。SiHK045N60EFのサンプルと製品の提供は、既に開始している。

薄型PowerPAK10x12で、600 V EFシリーズのファースト・ボディ・ダイオードMOSFETを発表　ビシェイ