タグ：MOSFET
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世界初、ダイヤモンドのn型チャネル動作によるMOSFETを開発 NIMS
物質・材料研究機構（NIMS）は2024年1月25日、世界初となるダイヤモンドのn型チャネル動作による「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）」 を開発したことを発表した。モノリシック集積化（1つの半導体基…詳細を見る-
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SBD内蔵SiC MOSFETモジュールのサンプル提供を開始――スイッチング損失が大きく低減 三菱電機
三菱電機は2023年5月8日、大型産業機器向け大容量SiCパワー半導体モジュールの新製品として、ショットキーバリアダイオード（SBD）を搭載したSiC MOSFETモジュール「FMF800DC-66BEW」のサンプル提供…詳細を見る-
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小型で電力損失を抑えた高効率の20V耐圧Nch MOSFETを開発 ローム
ロームは2022年11月10日、ウェアラブル機器や小型／薄型機器のスイッチングに最適な小型かつ高効率の20V耐圧Nch MOSFET「RA1C030LD」を開発し、2022年11月より量産を開始したと発表した。RA1C0…詳細を見る-
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薄型PowerPAK10x12で、600 V EFシリーズのファースト・ボディ・ダイオードMOSFETを発表 ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは2022年10月6日、第4世代600 V EFシリーズのファースト・ボディ・ダイオードMOSFETを、薄型PowerPAK 10x12パッケージのビシェイSiliconixブランド Nチャ…詳細を見る-
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最新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETを発売 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2022年3月31日、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、150V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」を発売し、出荷を開始した。最新世代プロセス…詳細を見る-
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第3世代SiCパワーMOSFETを発表――ハイエンド車載用途に最適化 STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは2021年12月21日、EV（電気自動車）や産業機器向けに第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。650V／750V／1200V耐圧の製品を提供する予定となっており、まずは650V耐圧品…詳細を見る-
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2素子構成の車載向けECU用パワーMOSFETを発売――回路の小型化や軽量化に寄与 新電元工業
新電元工業は2021年7月13日、自動車の各種ECU用パワーMOSFET「LF_Dual」シリーズを発売すると発表した。既にサンプル出荷を開始しており、2021年12月の量産開始を予定している。 同シリーズは、40…詳細を見る-
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AEC-Q101に準拠した車載グレードPチャネル80VのTrenchFET MOSFETを発表 ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは2021年4月8日、AEC-Q101に準拠したPチャネル80VのTrenchFET MOSFET「SQJA81EP」を発表した。サンプルと製品を提供でき、量産時の標準納期は14週間となって…詳細を見る-
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実装面積を約27％小型化した650V耐圧スーパージャンクションパワーMOSFET DTMOSVI出荷 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2021年3月11日、TOLLパッケージに搭載した650V耐圧スーパージャンクションパワーMOSFET DTMOSVI（ディーティーモスシックス）シリーズ「TK065U65Z」「TK090U65…詳細を見る-
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1200V耐圧SiC MOSFETを製品化――SBD内蔵の第2世代チップデザイン採用で信頼性を向上 東芝デバイス＆ストレージ
東芝デバイス＆ストレージは2020年10月19日、SiC（シリコンカーバイド）を使用した1200V耐圧MOSFET「TW070J120B」を製品化し、出荷を開始したと発表した。 同MOSFETは、新材料のSiCを使…詳細を見る-
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