巨大磁気抵抗スイッチ効果に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：巨大磁気抵抗スイッチ効果

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  • 2024-3-14
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • CMRS効果, RS効果, スイッチング電圧, スピントロニクス, ホウ素（B）添加半導体Ge, 二端子デバイス, 半導体Ge, 巨大磁気抵抗スイッチ効果, 抵抗スイッチ効果, 抵抗変化, 東京大学, 東京大学大学院工学系研究科, 海洋研究開発機構, 産業技術総合研究所, 研究

  磁場で制御できる抵抗スイッチ効果を初観測――抵抗変化率が2万5000％も変化　東京大学ら

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