タグ：スピントロニクス
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磁場で制御できる抵抗スイッチ効果を初観測――抵抗変化率が2万5000％も変化 東京大学ら
東京大学は2024年3月13日、同大学大学院工学系研究科と産業技術総合研究所、海洋研究開発機構の研究グループが、鉄（Fe）と酸化マグネシウム（MgO）の2層構造からなる電極をもつホウ素（B）を添加した半導体Geの20nm…詳細を見る-
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準結晶／近似結晶の磁気特性を解明――磁気冷凍への応用も視野に
東京理科大学の研究チームが、結晶でもなくアモルファスでもない第三の固体物質と言われる準結晶や近似結晶の、磁気特性と磁気構造、更に磁気相図を解明することに成功した。準結晶タイプの3種類の1つであるTsai型の金・ガリウム・…詳細を見る-
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半導体の省エネ化に向け、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立 東北大
東北大学は2024年1月11日、半導体の省エネ化につながると期待されているスピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）をナノメートル（10億分の1m）サイズにまで微細化する技術を確立したと発表した。このSTT-MR…詳細を見る-
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スピントロニクスによる低消費電力トランジスタの開発――集積回路の高密度化に対応
米ニューヨーク州立大学バッファロー校とネブラスカ大学リンカーン校の研究チームが、世界初の磁気電気トランジスタを完成させた。本トランジスタは、電力消費量を最大5％まで削減し、世界で増大し続けるデジタルメモリへの需要を満たす…詳細を見る-
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電子部品不要でGHz信号を得る――スピントロニクスを利用した新しい周波数逓倍方法を発見
マルティンルター大学ハレヴィッテンベルク（MLU）の研究チームは、特別な回路が無くても周波数を逓倍できる方法を発見した。エネルギー効率を高め、コンピューターやスマートフォンの部品点数を削減できる可能性がある。研究結果は2…詳細を見る-
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新たな2D材料を求めて――データマイニングで金属酸化物系2D材料を探索する手法を開発
ヘルムホルツ研究機構ドレスデン－ロッセンドルフ（HZDR）を中心とした、ドイツとアメリカの共同研究チームが、グラフェン等とは異なる金属酸化物を基本とした新たな2D材料を探索する理論予測手法を構築した。3D材料ブロックから…詳細を見る-
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磁気回転効果により磁性体から起電力を取り出す機構を発見――スピンデバイスへの応用に期待 慶大と中国科学院大
慶應義塾大学は2022年2月21日、同大学と中国科学院大学カブリ理論科学研究所の共同研究チームが、磁気回転効果を用いて磁性体から起電力を取り出す機構を理論的に発見したと発表した。スピンデバイスへの応用に繋がることが期待さ…詳細を見る-
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原子核の「核スピン」による熱発電の実証に成功――スピントロニクス技術の利用で極低温まで適用できる熱電変換の可能性に期待 東北大学ら
東北大学は2021年7月26日、東京大学、岩手大学と共同で、原子核の自転運動「核スピン」による熱発電を実証したと発表した。 環境の温度差から電気を作る熱電変換現象を活用した発電は、次世代のクリーンエネルギー技術の基…詳細を見る-
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ムーアの法則の限界を超える次世代技術――グラフェンなどの2D材料スピントロニクスに注目
マンチェスター大学を中心とした国際共同研究チームが、グラフェンおよび他の2D材料を用い、電子の持つ磁気的な性質「スピン」の流れを制御することで、次世代の半導体を創成するスピントロニクスの可能性について、広く展望した解説論…詳細を見る-
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SRAM代替を可能にする高速、高耐熱性、データ保持特性を持つスピン軌道トルク素子（SOT）を開発 東北大
東北大学は2019年12月9日、SRAMを代替可能な高耐熱性とデータ保持特性を持つ、高速書き換えスピン軌道トルク素子（SOT）の開発と動作実証に、世界で初めて成功したと発表した。 揮発性の半導体メモリーを用いる集積…詳細を見る-
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