タグ：ゲート変調イメージング技術
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産総研ら、半導体中のマイクロメートルスケールの電荷分布を可視化――結晶粒界や電荷トラップによる電気伝導の阻害も観測
産業技術総合研究所（産総研）と筑波大学は2018年6月22日、半導体中の結晶粒界付近で電荷が不均一に分布する様子や、結晶粒界が電気伝導を阻害する様子を可視化することに成功したと発表した。 近年のIoT化の高まりによ…詳細を見る-
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産総研、薄膜トランジスタ（TFT）アレイの一括検査技術を大幅に高速・大面積化
産業技術総合研究所（産総研）は2018年1月15日、独自に開発した薄膜トランジスタ（TFT）アレイ一括検査技術の測定感度と検査面積を大幅に向上させるとともに、同技術を応用したストレージキャパシター（電荷を蓄積したり放出し…詳細を見る-
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