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タグ：ショットキー障壁ダイオード

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  • 2023-7-3
  • 制御・IT系, 技術ニュース
  • ショットキー障壁ダイオード, 半導体素子, 研究, 窒化アルミニウム, 筑波大学, 電解効果トランジスタ

  800℃を超える高温下でも利用可能な、半導体素子を開発　筑波大学

  筑波大学は2023年6月30日、800℃を超える高温の環境下でも利用可能な窒化アルミニウム（AlN）半導体を開発したと発表した。地下開発のほか、鉄鋼、宇宙、航空など各産業への貢献が期待できる成果だとしている。 現在…

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