スイッチング回路用の電界効果トランジスタ（FET）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：スイッチング回路用の電界効果トランジスタ（FET）

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  • 2019-8-26
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • Cunjiang Yu, Science Advances, アメリカ科学振興協会（AAAS）, ウェラブル電子デバイス, スイッチング回路用の電界効果トランジスタ（FET）, ヒューストン大学, ヒューマンマシンインターフェイス（HMI）デバイス, ポリマーゾルゲル法（sol-gel-on-polymer）, 伸縮性抵抗変化型メモリ（ReRAM）

  厚さわずか数μm、柔らかく装着感のないウェアラブル電子デバイスを開発

  健康管理を目的に心拍数などを計測するウェアラブルデバイスの普及が進んでいるが、米ヒューストン大学は、着けていることを感じさせないほど薄く、柔らかく、伸縮性のあるウェラブル電子デバイスを開発し、アメリカ科学振興協会（AAA…

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