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タグ：半導体量子井戸構造

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  • 2023-8-3
  • 技術ニュース, 電気・電子系
  • 2次元電子, スピンエレクトロニクス, テラヘルツ周波数帯, パルスレーザー光, 分子科学研究所, 分子線エピタキシー法, 半導体量子井戸構造, 強磁性量子井戸構造, 東京大学, 理化学研究所, 研究, 磁化, 磁化制御法, 超高速磁化制御法, 量子デバイス, 高輝度光科学研究センター

  強磁性の半導体量子井戸構造にパルスレーザー光を照射し、超高速で瞬時に磁化を増大させることに成功　東京大学ら

  東京大学は2023年8月1日、同大学大学院の研究グループが分子科学研究所、理化学研究所、高輝度光科学研究センターと共同で、強磁性半導体（In,Fe）Asを含む半導体量子井戸構造に、30フェムト秒（fs）の長さを持つパルス…

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