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低電圧で高輝度のペロブスカイトLEDを開発――新開発のアモルファス酸化物半導体を電子輸送層に用いる 東京工業大
東京工業大学は2019年7月31日、ペロブスカイト型ハロゲン化物を用いて、低電圧駆動で超高輝度のペロブスカイトLED(PeLED)の開発に成功したと発表した。 近年、有機ELディスプレイが急速に普及しつつある。しか…詳細を見る
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