立方晶砒化ホウ素（c-BAs）に関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：立方晶砒化ホウ素（c-BAs）

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  • 2022-8-30
  • 技術ニュース, 海外ニュース, 電気・電子系
  • c-BAs単結晶, MIT, Science, シリコン（Si）, テキサス大学オースティン校, ヒューストン大学, ボストンカレッジ, 両極性移動度, 半導体, 学術, 熱伝導度, 立方晶砒化ホウ素（c-BAs）

  MIT、シリコンより優れた「理想的な半導体」を発見

  MITとヒューストン大学などの共同研究チームは、立方晶ヒ化ホウ素（c-BAs）が、微細デバイスの放熱性に有効な高い熱伝導度を有するとともに、電子輸送と正孔輸送の両方を兼ね備える高い両極性移動度を発揮することを実験的に示し…

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