縦型酸化ガリウムトランジスタに関するおすすめ記事 | fabcross for エンジニア

タグ：縦型酸化ガリウムトランジスタ

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  • 2018-12-13
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  • NICT, n型イオン注入ドーピング技術, p型イオン注入ドーピング技術, イオン注入ドーピング技術, パワースイッチングデバイス, 情報通信研究機構, 東京農工大学, 研究, 縦型酸化ガリウムトランジスタ, 酸化ガリウム

  イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウムトランジスタ開発に初めて成功――低コストパワーデバイス量産へ　NICTと東京農工大

  情報通信研究機構（NICT）と東京農工大学は2018年12月12日、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3） トランジスタの開発に成功したと発表した。 電力変換に用いるパワースイッチングデバイ…

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