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タグ：p型イオン注入ドーピング技術

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  • 2018-12-13
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  • NICT, n型イオン注入ドーピング技術, p型イオン注入ドーピング技術, イオン注入ドーピング技術, パワースイッチングデバイス, 情報通信研究機構, 東京農工大学, 研究, 縦型酸化ガリウムトランジスタ, 酸化ガリウム

  イオン注入ドーピングを用いた縦型酸化ガリウムトランジスタ開発に初めて成功――低コストパワーデバイス量産へ　NICTと東京農工大

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