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タグ：近赤外線向け半導体

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  • 2020-12-14
  • 化学・素材系, 技術ニュース
  • Ca3SiO, NIMS, 東京工業大学, 物質・材料研究機構, 直接遷移型半導体, 研究, 赤外半導体, 近赤外線向け半導体

  安価な非毒性の元素のみで構成された直接遷移型の近赤外線向け半導体を発見　NIMS

  物質・材料研究機構（NIMS）は2020年12年11日、東京工業大学と共同で、安価で毒性のないカルシウム、シリコン、酸素から構成される「Ca3SiO」が、赤外線用のLEDや検出器として応用できる直接遷移型の半導体であるこ…

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