タグ：直接遷移型半導体
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高純度GaN結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表 大阪大学と住友化学
大阪大学は2024年6月7日、同大学大学院工学研究科の研究グループが住友化学と協力し、高純度な窒化ガリウム（GaN）結晶の光りにくさの主要因が、従来のGaN結晶とは異なることを発表した。GaNの光りにくさを全方位フォトル…詳細を見る-
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安価な非毒性の元素のみで構成された直接遷移型の近赤外線向け半導体を発見 NIMS
物質・材料研究機構（NIMS）は2020年12年11日、東京工業大学と共同で、安価で毒性のないカルシウム、シリコン、酸素から構成される「Ca3SiO」が、赤外線用のLEDや検出器として応用できる直接遷移型の半導体であるこ…詳細を見る-
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ペロブスカイト半導体の発光量子効率計測――同半導体を用いた太陽電池やLEDの開発と高性能化に寄与 東北大学ら
東北大学は2019年8月1日、浜松ホトニクス、千葉大学、京都大学らと共同で、ハライド系有機―無機ハイブリッド型ペロブスカイト半導体（CH3NH3PbBr3）の発光量子効率計測に成功したと発表した。 照明や通信、太陽…詳細を見る-
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